旷通第3代碳化硅（SiC）MOSFET推出电压分别为650V、1200V和1700V的三款系列产品。旷通先进的SiC工艺显著改善了单位面积导通电阻RonA，以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。旷通第3代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持各种高功率密度应用，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
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